Condivisione di Bohong -Diamond può diventare il materiale per semiconduttori supremo

Pochi giorni fa, il professor Jiashu, professore alla Saga University in Giappone, ha collaborato con Orbray, un produttore di parti di precisione in Giappone, per sviluppare un semiconduttore di potenza fatto di diamante e operare a un potere di 875 megawatt (875.000 chilowatt) per centimetro quadrato . Questo semiconduttore di potenza ha il più alto valore di alimentazione in uscita nel mondo tra i semiconduttori di diamanti esistenti. Rispetto ai prodotti in carburo di silicio (SIC) e ai prodotti di nitruro di gallio (GAN), che sono semiconduttori di potenza di prossima generazione, i semiconduttori di diamanti hanno prestazioni migliori come la resistenza ad alta tensione e la perdita di potenza è considerata ridotta a 1/50.000 di prodotti al silicio , Allo stesso tempo, è anche molto resistente al calore e alle radiazioni, quindi è chiamato il semiconduttore di potenza finale ".

La larghezza del gap del diamante è alta quanto 5,5EV, che è molto più alta di quella del nitruro di gallio, del carburo di silicio e di altri materiali. La mobilità del vettore è anche tre volte quella dei materiali al silicio. La concentrazione intrinseca del portatore è estremamente bassa a temperatura ambiente e ha eccellenti proprietà di resistenza ad alta temperatura. L'applicazione del diamante nel campo dei semiconduttori sta diventando sempre più estesa. I paesi di tutto il mondo stanno intensificando la ricerca e lo sviluppo del diamante nel campo dei semiconduttori. Tra questi, il Giappone ha sviluppato con successo un metodo di produzione di massa a wafer diamantato da 2 pollici ultra-alta e la sua capacità di stoccaggio equivale a 1 miliardo di raggi Blu. Disco ottico (circa 25 milioni di TB). La produzione annuale di diamanti naturali nel mondo è di 150 milioni di carati, mentre la produzione di diamanti sintetici supera i 20 miliardi di carati, il 95% dei quali provengono dalla Cina continentale.